Wafer: Unterschied zwischen den Versionen

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Mit '''Wafer''' bezeichnet man in der Halbleiterherstellung eine runde, ca. 1 mm dicke Kristallscheibe von bis zu ca. 30 cm Durchmesser.
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Mit '''Wafer''' bezeichnet man in der Halbleiterherstellung eine runde, ca. 1 mm dicke Kristallscheibe von bis zu ca. 30 cm (12 Zoll) Durchmesser.
  
  
Dieser aus Silizium hergestellte Wafer dient in der Produktion als Grundplatte, auf welcher dann elektronische Teile, wie z.B. integrierte Schaltkreise (Chip), mikromechanische Bauelemente oder photoelektrische Beschichtungen durch verschiedene, technische Verfahren hergestellt werden.
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Dieser aus Silizium hergestellte Wafer dient in der Produktion als Grundplatte, auf welcher dann elektronische Teile, wie z.B. integrierte Schaltkreise ([[Chip]]), mikromechanische Bauelemente oder photoelektrische Beschichtungen durch verschiedene, technische Verfahren hergestellt werden.
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[[Kategorie:Hardware]]

Aktuelle Version vom 27. März 2009, 22:36 Uhr

Mit Wafer bezeichnet man in der Halbleiterherstellung eine runde, ca. 1 mm dicke Kristallscheibe von bis zu ca. 30 cm (12 Zoll) Durchmesser.


Dieser aus Silizium hergestellte Wafer dient in der Produktion als Grundplatte, auf welcher dann elektronische Teile, wie z.B. integrierte Schaltkreise (Chip), mikromechanische Bauelemente oder photoelektrische Beschichtungen durch verschiedene, technische Verfahren hergestellt werden.